Примесная проводимость возникает в чистом полупроводнике при введении примеси , атом которой имеет незаполненный уровень вблизи верхнего уровня валентной зоны ( пунктирная линия , рис.2.5.а ) . В этом случае малейшего возбуждения
например приложения напряжения достаточно для того , чтобы электрон из валентной зоны перешел на уровень примеси. При этом в валентной зоне появится дырка но для того чтобы электрон перешел в зону проводимости надо иметь гораздо большую энергию . Таким образом , свободных электронов в зоне проводимости не возникает и проводимость будет чисто дырочная . Для того , чтобы получить проводимость электронного типа необходимо подобрать атом примеси так , чтобы этот атом имел уровень , заполненный электроном , вблизи дна зоны проводимости ( рис.2.5.б ) . В этом случае электрон с уровня атома примеси легко переходит в зону проводимости . При этом появляется свободный электрон . Переходов электронов из валентной зоны в зону проводимости не происходит , таким образом в валентной зоне дырки не возникают , то есть мы получаем проводимость электронного или n - типа .
В зоне рабочих температур полупроводника при некотором повышении температуры проводимость растет ( область1 на рис.2.6 . ) . При достижении определенного значения температуры проводимость некоторое время остается неизменной ( область2 ) есть s ( проводимость ) достигает насыщения. Начиная с некоторых значений температур появляется собственная проводимость ( область 3). В этом случае полупроводниковый прибор становится неуправляемым. Полупроводниковый прибор выполняет свои функции , когда его проводимость управляемая . Полупроводники боятся перегрева , или сильного электромагнитного облучения , так как при этом прибор переходит в режим собственной проводимости .