Мир науки

Рефераты и конспекты лекций по географии, физике, химии, истории, биологии. Универсальная подготовка к ЕГЭ, ГИА, ЗНО и ДПА!

Загрузка...

Рассмотрим принцип работы транзистора п-р -п типа. При отсутствии внешнего напряжения на транзисторе п-р -п типа оба запорных слои образуются под действием диффузионных токов ( рис.2.12.а ) . Ситуация меняется при подключении

источника напряжения ( рис.2.12.б ) . Как и в диоде , работающий в запорном направлении , запорный слой расширяется (верхний р-п - переход) . Нижний п-р - переход можно рассматривать как диод , включенный в пропускном направлении . На верхней запорный слой можно влиять не только напряжением , но и током ивх который возникает при включении второго источника напряжения ( рис.2.13 . ) . Вследствие того , что средняя область (база ) намного тоньше чем внешние слои , основная часть электронов направляется к положительному полюсу правого источника напряжения . Электроны, направляются к верхней п- области , создают в правом контуре выходной ток ие намного больше чем ивх . Таким образом , транзистор

 

позволяет управлять значительными токами посредством малых токов , база играет в транзисторе такую же роль , как сетка в вакуумном триоде .

 

Кривые потенциальной энергии электронов ( сплошные прямые ) и дырок ( пунктирные прямые ) приведены на рис.2.14 . На переход эмиттер - база подается прямое напряжение , а на переход база - коллектор ( Б- К ) - подается большое напряжение в обратном направлении . Это приводит к понижению потенциального барьера на переходе эмиттер -база (Е- Б) и повышение потенциального барьера на переходе Б- К . Протекание тока в цепи эмиттера сопровождается проникновением электронов в область базы . Проникнув в базу , электроны диффундируют в направлении коллектора . Если толщина базы маленькая , почти все электроны не успевая рекомбинировать , достигают коллектора . В нем они подхватываются электрическим полем более мощного источника , включенного между эмиттером и коллектором , и увеличивают ток течет в запорном направлении в цепи коллектора .

 

Любое изменение тока в цепи эмиттера приводит к изменению количества электронов , проникающих в коллектор и следовательно к такой же изменения тока в цепи коллектора , поэтому при одинаковых изменениях токов эмиттера и коллектора изменение напряжения в цепи коллектора будет во много раз больше , чем в кругу эмиттера. Итак , транзистор включен по схеме с общим эмиттером , усиливает напряжение и мощность . Увеличение мощности возникает за счет тока в цепи коллектора .



Загрузка...
Загрузка...
Реферати і шпаргалки на українській мові.
Биология      Физика      Химия      Экономика     География
Микробиология      Теоретическая механика     География Белоруссии    География Украины    География Молдавии
Растительность мира      Электротехника    География Грузии    География Армении    География Азербайджана
География Казахстана    География Узбекистана    География Киргизии    География Туркменистана    Природоведение
География Таджикистана    География Эстонии