1 . Фоторезисторы - полупроводниковые приборы , проводимость которых зависит от освещенности (недостатки : большая инерционность , зависимость проводимости от предыдущей освещенности) .
2 . Фотодиод - полупроводниковый диод, работающий на фотогальванических эффекте.
Фотодиод имеет два режима включения в круг : фотогальванический ( без источника питания рис.4.11 ) и фотодиодный ( с источником включенным в обратном направлении рис. 4.12 ) . Характеристики фотодиода :
1 . Световая характеристика (приведенная на рис.4.13 ) ;
2.Залежнисть тока от светового потока ( рис.4.10 ) ;
3.Интегральна чувствительность катода - отношение фототока к падающему потоку ;
4.Порогова чувствительность фотодиода - световой сигнал , что вызывает изменение тока , которую можно различить на фоне собственных шумов фото диода ;
5.Спектральна характеристика - зависимость тока от длины волны. Принцип действия фотодиода в фотогальванических режиме базируется на
фотогальванических эффекте. Если внешний круг фотодиода запереть в нем появится ток , обусловленный движением через pn - переход неосновных носителей заряда. Ток в цепи будет зависеть от фото- ЭДС и сопротивления нагрузки . Как видно из вольт - амперных характеристик ( рис.4.10 . ) Ток фотодиода слабо зависит от напряжения. Ток , при Ф = 0 называют темновым током .
3.Фототранзистор - фотогальванический приемник с внутренним усилением , имеющей структуру транзистора .
Принцип действия фототранзистора основан на внутреннем фотоэффекте . Чаще всего применяют схему включения с общим эмиттером с подачей положительного смещения на базу с целью достижения линейных характеристик и уменьшения внешнего воздействия (например , нагрев ) .