Когда контакт приложена внешнее напряжение в обратном направлении, энергетические уровни р-полупроводника
поднимаются, а n-полупроводника опускаются (рис.7.8). Высота потенциального барьера возрастает на величину qV. Увеличивается также ширина контактной области.
Через pn-переход протекает обратный ток, обусловленный неосновными носителями заряда, поток которых практически не меняется, потому что для них не существует потенциального барьера. Величина этого потока ограничивается концентрацией и диффузионной длиной неосновных носителей заряда. Поток же основных носителей заряда уменьшается, потому что для них величина потенциального барьера выросла на величину qV. Через контакт протекает небольшой обратный ток, который изменяется по такому же закону, как и для контакта металл-полупроводник.
Загрузка...