Сплавные pn-переходы получают путем расплавления на поверхности n-германия индия (In), трехвалентного
элемента, который является в германии акцепторной примесью. При нагревании до 550оС в нейтральной атмосфере водорода или аргона индий плавится и растворяет часть германия. После охлаждения образуется ре кристаллический слой р-Ge (рис.7.12). Это монокристалле германия, который является продолжением кристаллической решетки пластинки германия, но легированный акцепторной примесью индия.
Диффузионные pn-переходы формируются путем перекомпенсации (изменения типа проводимости полупроводника) n-кремния в р-кремний за счет диффузии при температуре 1200оС в поверхностный слой акцепторной примеси бора (В), например, из паров борной кислоты Н3ВО3.
Создавая на поверхности пластины защитную маску из двуокиси кремния SiO2, формируют pn-переходы в определенных местах. (Рис.7.13). Это планарная технология изготовления интегральных микросхем. Глубина залегания перехода зависит от температуры и времени диффузионного процесса.
Эпитаксиальные pn-переходы образуются в процессе эпитаксиального наращивания на полупроводниковую подложку слоя полупроводника, например, кремния из газовой фазы моносилану (SiH4) на по-верхнюю кремния. Эпитаксиальных процесс - выращивание слоя полупроводника из газовой фазы, в результате чего образуется монокристаллическая пленка, которая является продолжением кристаллической решетки подложки.
Добавляя в камеру элементы донорной или акцепторной примеси, можно формировать баготошарову структуру р-и n-областей (сэндвич). Метод ионной имплантации - легирование полупроводника путем бомбардировки ускоренными ионами соответствующей примеси (ионным пучком).