Для объяснения свойств винтовой дислокации лучше всего воспользоваться следующей моделью. В совершенном кристалле необходимо сделать тонкий разрез на некоторую глубину.
Затем сдвинуть материал по одну сторону надреза вверх на одно межатомное расстояние относительно материала с другой стороны надреза и снова сомкнуть ряды атомов по обе стороны надреза. Ясно видно, что линия искажений идет вдоль края разреза. Эта линия называется винтовой дислокацией.
Основная особенность винтовой дислокации заключается в новом характере атомных плоскостей. Здесь уже нет полностью застроенных атомных плоскостей. перпендикулярных к дислокации. Правильнее сказать, что все атомы находятся на одной поверхности. Эта поверхность является винтовой; она начинается у одного края кристалла и кончается у другого. Отсюда и возникло название этих дислокаций -винтовые. Направление винта может быть как право-, так и левосторонним, а шаг винта составляет от одного до нескольких межатомных расстояний на один полный оборот винта. У описанной выше простой дислокации шаг равен одному межатомному расстоянию на один полный оборот.
Как и в случае краевой дислокации, степень искажений зависит от расстояния до центра дислокации. Области, достаточно удаленные от винтовой дислокации, испытывают очень малые локальные искажения. Напротив, области вблизи центра сильно искажены, и здесь возникают локальные нарушения симметрии кристалла.
В противоположность искажениям вокруг краевой дислокации вблизи центра винтовой дислокации возникают не дилатация, а скручивание или сдвиг решетки. Атомы, находящиеся на винтовой поверхности, смещены со своих исходных мест в совершенном кристалле. Эти смещения соответствуют уравнению винтовой поверхности Смешанная дислокация состоит из двух компонент - краевой и винтовой. Она возникает при незавершенном сдвиге за счет образования винтовой дислокации, при этом линия дислокации изогнута.