В ходе исследования полупроводников и кристаллов возникает необходимость установить вид симметрии, количество фаз, химический состав, тип реальной структуры, магнитную природу и др.. Одним из методов, что позволяет успешно
решать подобные задачи, является рентгеноструктурный. (1912-1913-Вульф и Брэгг и Лауэ). Решетка кристалла может быть представлена как дифракционная решетка для рентгеновских лучей. В основе рентгеновского анализа лежит уравнение (условие) Вульфа-Брэгга. Электронографических метод. Тоже основан на дифракции, но уже электронов (открытый Дэвисон и Джермером, 1927).
Длина хода электронов меньше, чем рентгеновского луча, потому что он в кристалле поглощается. При этом удается исследовать поверхность слоев кристаллов, в полупроводниковой технике имеет значительный интерес.