Рассмотрим принцип работы транзистора п-р -п типа. При отсутствии внешнего напряжения на транзисторе п-р -п типа оба запорных слои образуются под действием диффузионных токов ( рис.2.12.а ) . Ситуация меняется при подключении
источника напряжения ( рис.2.12.б ) . Как и в диоде , работающий в запорном направлении , запорный слой расширяется (верхний р-п - переход) . Нижний п-р - переход можно рассматривать как диод , включенный в пропускном направлении . На верхней запорный слой можно влиять не только напряжением , но и током ивх который возникает при включении второго источника напряжения ( рис.2.13 . ) . Вследствие того , что средняя область (база ) намного тоньше чем внешние слои , основная часть электронов направляется к положительному полюсу правого источника напряжения . Электроны, направляются к верхней п- области , создают в правом контуре выходной ток ие намного больше чем ивх . Таким образом , транзистор
позволяет управлять значительными токами посредством малых токов , база играет в транзисторе такую же роль , как сетка в вакуумном триоде .
Кривые потенциальной энергии электронов ( сплошные прямые ) и дырок ( пунктирные прямые ) приведены на рис.2.14 . На переход эмиттер - база подается прямое напряжение , а на переход база - коллектор ( Б- К ) - подается большое напряжение в обратном направлении . Это приводит к понижению потенциального барьера на переходе эмиттер -база (Е- Б) и повышение потенциального барьера на переходе Б- К . Протекание тока в цепи эмиттера сопровождается проникновением электронов в область базы . Проникнув в базу , электроны диффундируют в направлении коллектора . Если толщина базы маленькая , почти все электроны не успевая рекомбинировать , достигают коллектора . В нем они подхватываются электрическим полем более мощного источника , включенного между эмиттером и коллектором , и увеличивают ток течет в запорном направлении в цепи коллектора .
Любое изменение тока в цепи эмиттера приводит к изменению количества электронов , проникающих в коллектор и следовательно к такой же изменения тока в цепи коллектора , поэтому при одинаковых изменениях токов эмиттера и коллектора изменение напряжения в цепи коллектора будет во много раз больше , чем в кругу эмиттера. Итак , транзистор включен по схеме с общим эмиттером , усиливает напряжение и мощность . Увеличение мощности возникает за счет тока в цепи коллектора .